智能传感器硅片切割微小孔来图定制

200元2022-11-28 08:22:15
  • 北京华诺恒宇光能科技有限公司
  • 硅片切割打孔
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产地 北京 分类 硅片切割
切割加工最小缝隙 0.05mm 加工厚度范围 0.1--2mm
加工方式 激光切割 品牌 HE
微信号 13011886131 服务范围 全国
硅片大小加工范围 300mm 联系人 张经理

智能传感器硅片切割微小孔来图定制

传统机械加工硅片的劣势:
传统硅片切割方式是机械切割,速度慢、断面平整性差、碎片多、不环保。硅是一种脆性材料,机械切割极易使边缘产生破裂,造成硅表面弹性应变区、位错网络区和碎晶区的组成层损伤,甚至可能造成隐形裂纹,影响电性参数等危害。激光切割技术具有无接触、无机械应力、切缝宽度小、断面平整光滑、精度高、速度快、性能稳定等优势;

晶圆是半导体产品与芯片的基础材料,半导体芯片产业的激光应用工艺将会越来越多被发明出来,对于高精密的芯片产品,非接触的光加工是最合适的方式。因此激光晶圆(硅片)切割的应用会越来越多。

激光属于无接触式加工,不对晶圆产生机械应力的作用,对晶圆损伤较小。由于激光在聚焦上的优点,聚焦点可小到微米数量级,从而对晶圆的微处理更具有优越性,可以进行小部件的加工;即使在不高的脉冲能量水平下,也能得到较高的能量密度,有效地进行材料加工。大多数材料吸收激光直接将硅材料气化,形成沟道。从而实现切割的目的因为光斑点较小,最低限度的炭化影响。

超薄硅片打孔是一项非常精细的工序,因为硅片较薄,打孔的时候不能损坏其表面的精度,打孔的密度、孔径大小需要达到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是将光斑直径缩小到微米级,从而获得高的激光功率密度,几乎可以在任何材料实行激光打孔。其特点是可以在硬度高、质地脆或者软的材料上打孔,孔径小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00~3.00(mm);次小孔:0.40~1.00(mm);超小孔:0.1~0.40(mm);微孔:0.01~0.10(mm);

随着硅半导体集成电路的广泛应用,硅半导体集成电路都要用到晶圆,传统的晶圆切割方法,都是手工采用金刚石刀进行切割,在晶圆上划分出若干个圆环,在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法,这种晶圆切割方法的耗材大,经常要更换刀具,切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大,不均匀,所能切割的材料单一,适用性差,效率低下。
因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行,对晶圆切割的位置进行准确定位,切割出来的晶圆芯片均匀、美观,能切割多种材料,适应性强,可以避免薄晶圆因切割破裂

晶圆是制造IC的基本原料,而晶圆便是硅元素加以纯化,接着将这些纯硅制成长硅晶棒,成为制造积体电路的石英半导体的材料,再经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序,将多晶硅融解后拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。

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